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IDQ單光子近紅外門(mén)控探測(cè)器是為電信波長(zhǎng)優(yōu)化的快速門(mén)控單光子探測(cè)器。它為需要同步光子探測(cè)的應(yīng)用提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的解決方案。例如量子通信,尤其是量子密鑰分配。它也非常適合需要緊湊性的應(yīng)用,例如LiDAR。
查看詳細(xì)介紹單光子探測(cè)器產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光子計(jì)數(shù)、量子光學(xué)、單光子探測(cè)、DNA排序、流動(dòng)血細(xì)胞計(jì)數(shù)、分光光度測(cè)定、環(huán)境分析、天文儀器、激光雷達(dá)等方向。
查看詳細(xì)介紹InGaAs APD光電探測(cè)器產(chǎn)品有3個(gè)系列:Deschutes FSI™, Deschutes BSI™, and Siletz™ series。Deschutes FSI™是前照式,而Deschutes BSI™和 Siletz™系列為背照式。
查看詳細(xì)介紹硅APD探測(cè)器LD-Si-010是0.4~1.1μm波長(zhǎng)光信號(hào)的優(yōu)良探測(cè)器,它具有n+p-πp+達(dá)通型結(jié)構(gòu),兼?zhèn)淞烁哽`敏度、高速響應(yīng)和低噪聲三大優(yōu)點(diǎn)。內(nèi)部的雪崩倍增效應(yīng)可達(dá)到120倍以上。適用于激光測(cè)距、測(cè)速、測(cè)角、光電探測(cè)和光電對(duì)抗等系統(tǒng)。
查看詳細(xì)介紹InGaAs APD光電探測(cè)器產(chǎn)品有3個(gè)系列:Deschutes FSI™, Deschutes BSI™, and Siletz™ series。Deschutes FSI™是前照式,而Deschutes BSI™和 Siletz™系列為背照式。FSI 和BSI 的區(qū)別主要是FSI系列產(chǎn)品吸收低于950nm以下波長(zhǎng),如果應(yīng)用在950nm以上那么BSI系列APD產(chǎn)品提供更高的響應(yīng)率。
查看詳細(xì)介紹硅APD探測(cè)器是0.4~1.1μm波長(zhǎng)光信號(hào)的優(yōu)良探測(cè)器,它具有n+p-πp+達(dá)通型結(jié)構(gòu),兼?zhèn)淞烁哽`敏度、高速響應(yīng)和低噪聲三大優(yōu)點(diǎn)。內(nèi)部的雪崩倍增效應(yīng)可達(dá)到120倍以上。適用于激光測(cè)距、測(cè)速、測(cè)角、光電探測(cè)和光電對(duì)抗等系統(tǒng)。
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